脫氣膜技(jì)術是(shì)一(yī)種新型的(de)氣/液膜分(fēn)離工(gōng)藝過程，通(tōn$g)過抽真空(kōng)、抽真空(kōng)+N2等方法可(kě)使水(shuǐ)中的(de)O2脫除率大(dà)于90%/96%，通(tōng)過吹氣、抽氣+吹氣等的(de)方法可(kě)使水(shuǐ)中的(de)CO2脫除率大(dà)于85%/98%，用(yòng)戶還可(kě)通(tōng)過脫氣膜串聯等方法進一(yī)步提高(gāo)脫氣效果。
1. 脫液體中二氧化(huà)碳
采用(yòng)反滲透RO和(hé)電脫鹽(EDI)或連續電脫鹽(CDI) 的(de)系統用(yòng)水(shuǐ)必須降低(dī)水(shuǐ)中的(de)β二氧化(huà)碳(CO2)含量。高(gāo)電導率的(de)電脫鹽(EDI)或連續電脫鹽(CDI) 進水(shuǐ)將會降低♠(dī)其出水(shuǐ)的(de)電阻率值。水(shuǐ)中溶解的(de)CO2是(shì)造成水(shuǐ)中高(gāo)電導率的(de)主要(yào)原因。脫氣膜提供了(le)一(yī)種清潔，無維護保養和(hé)無需任何化(huà)學添加調整PH值的(de)從水(shuǐ¶)中去(qù)除二氧化(huà)碳CO2的(de)方法, 去(qù)除率可(kě)達到(dào)99.9%。如(rú)果在EDI 或CDI 前去(qù)除二氧®化(huà)碳，那(nà)麽，就(jiù)會可(kě)以讓電脫鹽(EDI)或連續電脫鹽(CDI)產出更高(gāo)水(shuǐ)質的(de)產水(shuǐ)，可(∏kě)使原來一(yī)級反滲透+EDI的(de)出水(shuǐ)電阻率從原來的(de)1.0兆提高(gāo→)到(dào)18兆。當進水(shuǐ)中溶解的(de)二氧化(huà)碳去(qù)除後，EDI/CDI對矽和(hé)硼的(de)去(qù)除率也(yě)會隨之提高(gāo)，α從而使一(yī)級反滲透+脫氣膜的(de)出水(shuǐ)完全取代以往二級反滲透出水(shuǐ)作(zuò)為電脫鹽(EDI)的(de)進水(shuǐ)成為可↓(kě)能(néng)。
2. 脫液體中氧氣
脫氣膜廣泛地(dì)用(yòng)于從水(shuǐ)中除氧和(hé)其他(tā)液體除氧。氧氣O2對很(hěn)多(duō)工(gōng)藝過程有(yǒu)負面影(yǐng)響;氧氣會腐蝕和(hé)氧化(huà)材料。在電力和(hé)其他(tā)工(gōng)業領域，如(rú)果沒有£(yǒu)進行(xíng)脫氣， 管道(dào)，鍋爐和(hé)設備很(hěn)容易被腐蝕。脫氣膜提供了(le)一(yī)種無需化(huà)學品添加和(hé)大(dà)型脫氣塔的(•de)易于操作(zuò)，模塊化(huà)的(de)水(shuǐ)中脫氧方法。還提供隻須一(yī)個步驟就(jiù)可(kě)達到(dào)同時去(qù)除氧氣O2和(hé)二氧化(huà)碳CO2， 和(hé)氮氣控制(zhì)的(de)好(hǎo)處。在半導體領域的(de)靈活應用('yòng)在半導體和(hé)薄膜平闆工(gōng)業領域，高(gāo)含氧量會導緻低(dī)良品率。在微(wēi)電子(zǐ)領域，脫氣膜能(néng)滿足<1ppb 的(d→e)溶解氧指標并提供性能(néng)擔保。完全提供一(yī)種取代脫氣塔的(de)完美(měi)方案。
常見的(de)應用(yòng)範圍
去(qù)除溶體中的(de)氧氣 ( 小(xiǎo)于1ppb)
去(qù)除溶體中的(de)二氧化(huà)碳 ( 小(xiǎo)于1ppm)
去(qù)除溶體中的(de)氮氣
控制(zhì)氣體濕度
去(qù)除液體中的(de)微(wēi)泡(如(rú): 光(guāng)阻劑﹑色墨﹑乳劑)
向溶體中的(de)添加氫氣以控制(zhì)溶氫量
向溶體中的(de)添加氮氣以控制(zhì)溶氮量
向溶體中的(de)添加二氧化(huà)碳氣體