超淨高(gāo)純化(huà)學品是(shì)微(wēi)電(diàn)子(zǐ)技(jì)術σ(shù)發展過程中不(bù)可(kě)缺少(shǎo)的(de)關鍵基礎化(huà)工(gōng)材料，主要(yào)應用(yòng)在半導體(tǐ)、平Ω闆顯示、太陽能(néng)光(guāng)伏領域等及微(wēi)電(diàn)子(zǐ)、光(guāng≤)電(diàn)子(zǐ)器(qì)件(jiàn)制(zhì)造領域。随著(zhe)微(wēi)電(diàn)子(zǐ)技(jì)術(shù)的(de)迅猛發展，對(duì)超淨高(gāo)純試♦劑的(de)要(yào)求和(hé)标準也(yě)不(bù)斷在提高(gāo)。超淨高(gāo)純化(huà)學品的(de)純度和(hé)潔淨度對(duì)集成電(d±iàn)路(lù)的(de)成品率、電(diàn)性能(néng)及可(kě)靠性均有(yǒu)十分(fēn)重要(yào)的(de)影(yǐng)☆響。不(bù)同線寬的(de)集成電(diàn)路(lù)（IC）制(zhì)作(zuò)工(gōng)藝技(jì)術(shù)，對(duì)超淨高(gāo)₽純化(huà)學品中金(jīn)屬雜(zá)質、顆粒物(wù)有(yǒu)嚴格要(yào)求。金(jīn)屬雜(zá)質如(rú)Au、P t、Fe、Ni、Cu等，以及堿金(jīn)屬Na、K等，都(dōu)會(huì)對(duì)電(diàn)子(zǐ)元器(qì)件(jiàn)的(de)性能(néng)産生(shēng)嚴重影(yǐng)響。因此，在制(zhì)備超淨高(gāo)純化(÷huà)學品時(shí)，除金(jīn)屬雜(zá)質和(hé)顆粒是(shì)至關重要(yào)的(de)環節，如(rú)下(xià)表所示：
超淨高(gāo)純化(huà)學品伴随著(zhe)集成電(diàn)路(₹lù)的(de)整個(gè)制(zhì)作(zuò)過程，在濕法工(gōng)序中，化(huà)學品中的(de)金(jīn)屬雜(zá)質會(huì)危害到(dà<o)電(diàn)子(zǐ)元器(qì)件(jiàn)電(diàn)性能(néng)，極微(wēi)量的(de)金(jīn)屬'雜(zá)質就(jiù)會(huì)嚴重影(yǐng)響半導體(tǐ)的(de)産品質量。如(rú)Au、Pt、Fe、Ni、Cu等，屬于矽片中的(de)快(kuài)擴散物(wù)質，影(yǐng)'響元器(qì)件(jiàn)的(de)可(kě)靠性和(hé)阈值電(diàn)壓，可(kě)能(néng)導緻低(dī)擊穿和(hé)缺陷。堿金(jīn)屬如(rú)Naγ、K，會(huì)融進氧化(huà)膜中，造成元器(qì)件(jiàn)漏電(diàn)、造成低(dī)擊穿危害。P、As、Ab、Al等屬于矽片中的(de)淺能(néng)級雜(zá)質，有(yσǒu)擴散作(zuò)用(yòng)，可(kě)影(yǐng)響電(diàn)子(zǐ)和(hé)空(kōng)穴數(shù)量。随著(zhe)集成電(diàn)路(lù)的(de)集成度的(d≥e)日(rì)益提升超淨高(gāo)純化(huà)學品中的(de)金(jīn)屬離(lí)子(zǐ)含量要(yào)求也(yě)越來(lái)越嚴格。
在超淨高(gāo)純化(huà)學品的(de)制(zhì)備和(hé)應用(yòng)過程中，顆粒物(wù)的(de)存在是(shì)一(y©ī)個(gè)不(bù)容忽視(shì)的(de)問(wèn)題。這(zhè)些(xiē)顆粒物(wù)可(kě)能(néng)來(lái)源于原料、生€(shēng)産環境或處理(lǐ)過程中的(de)污染。它們不(bù)僅會(huì)損害集成電(diàn)路(lù)的(de)成品率和(hé)可(kě)靠性，還(hái)可(kě)能(néng)影(yǐng)響電(diàn)子(zǐ)元器(qì)件(jiàn)的(de)電(diàn')性能(néng)和(hé)穩定性。
目前國(guó)內(nèi)外(wài)制(zhì)備超淨高 (gāo)純試劑的(de)常用(yòng)技(jì)術(shù)主要(yào)有(yǒu)：蒸餾、精餾、樹(shù)σ脂交換、重結晶、化(huà)學處理(lǐ)、膜處理(lǐ)等技(jì)術(shù)。膜處理(lǐ)技(jì)術(shù)是(shì)物(wù)理(lǐ)分(fē¥n)離(lí)過程，無需加熱(rè)和(hé)無需添加任何化(huà)學試劑，是(shì)去(qù)除微(wēi)量金(jīn)屬離(lí)子(zǐ)雜(zá)質的(de)有(yǒu)效方式。國(guó)初科(kē)技(jì)根據多(duō)年(nián)的(de)膜技(jì)術(shù)應用(yòng)經驗，開(kāi)發了(le)一(yī)種脫>除超淨高(gāo)純化(huà)學品中金(jīn)屬離(lí)子(zǐ)工(gōng)藝，最低(dī)可(kě)實現(xiàn)金(jīn)屬離(lí)子•(zǐ)＜50ppt。
除金(jīn)屬離(lí)子(zǐ)外(wài)，超淨高( gāo)純化(huà)學品的(de)顆粒控制(zhì)同樣關鍵。國(guó)初科(kē)技(jì)針對(duì)超純化(huà)學品特性，采用(yòng)高(gāo)精度除顆粒超濾膜組件&(jiàn)（最高(gāo)精度可(kě)達5nm），有(yǒu)效去(qù)除≥0.2μm顆粒，滿足SEMI Grade 4/5标準要(yào)α求。
工(gōng)藝流程：
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為(wèi)避免接觸部件(jiàn)的(de)溶出物(wù)污染，工(gōng)藝流程中與超淨高(gāo)純化( huà)學品接觸部件(jiàn)均需采用(yòng)高(gāo)純材質。一(yī)級膜組件(jiàn)可(kě)将金(↕jīn)屬離(lí)子(zǐ)雜(zá)質含量降低(dī)至ppb級别，二級膜組件(jiàn)可(kě)将金(jīn)屬離(lí)£子(zǐ)雜(zá)質含量降低(dī)至ppt級别，三級膜組件(jiàn)為(wèi)終端過濾确保溶劑無顆粒，精度最高(gāo)可(kě)達5nm。同時(shí)也(yě)有(yǒu)助于脫氣泡，提>高(gāo)化(huà)學品的(de)穩定性。本工(gōng)藝對(duì)K、Na、Ca、Cu、Fe、Mg等金(jīn)屬雜(zá)質都(dōu)有(yǒu)較好(hǎo)的(de)去(q•ù)除效果。
與傳統蒸餾工(gōng)藝比，本工(gōng)藝的(de)裝置占地(dì)面積小(xiǎo)，'操作(zuò)非常容易，系統密封，能(néng)耗低(dī)，環境友(yǒu)好(hǎo)。不(bù)僅可(kě)以用(yòng)在超淨高(gāo)純化(huà)學品生♥(shēng)産，在半導體(tǐ)制(zhì)程上(shàng)其他(tā)高(gāo)純試劑的(de)純化(huà)應用(yòng)，如(rú)樹(shù)脂、聚合物(wù)等光(guān♥g)刻化(huà)學産品，還(hái)可(kě)以實現(xiàn)金(jīn)屬離(lí)子(zǐ)ppb-ppt級脫除，還(hái)可(kě)同步完成顆粒控制(zhì)↑，顯著提升超純化(huà)學品的(de)綜合品質。
除金(jīn)屬離(lí)子(zǐ)外(wài)，超淨高(gāo)純化(huà)學品÷的(de)顆粒控制(zhì)與氣泡脫除同樣關鍵。國(guó)初科(kē)技(jì)針對(duì)超純化(huà)學品特性，還↕(hái)可(kě)提供化(huà)學品溶液脫氣膜技(jì)術(shù)。在使用(yòng)化(huà)學品溶液的(de)工(gōng)藝流程中快(kuài)速去(qù)除液體(tǐ)中的€(de)氣泡或溶解氣體(tǐ)（如(rú)O₂、CO₂），避免氣泡對(duì)光(guāng)刻、蝕刻等工(gōng)藝的(de)幹擾。
該技(jì)術(shù)已大(dà)量應用(yòng)于半導體(tǐ)光(guāng)≠刻膠、電(diàn)子(zǐ)級溶劑等産品的(de)純化(huà)，确保化(huà)學品在傳輸與使用(yòng)過程中無顆粒、無氣泡，提升工•(gōng)藝穩定性。
國(guó)初科(kē)技(jì)（廈門(mén)）有(yǒu)限公←司自(zì)成立以來(lái)，以膜分(fēn)離(lí)技(jì)術(shù)為(wèi)核心，緻力于新型分(fēn)離(lí)技(jì)術(shù)推廣，不(bù)斷探索新型膜分✔(fēn)離(lí)技(jì)術(shù)在微(wēi)電(diàn)子(zǐ)、冶金(jīn)、化(huà)工(gōng)、機(jī)械、食品、乳品、飲料、環境等領域的(de)新應用(yΩòng)，根據不(bù)同客戶的(de)高(gāo)度差異化(huà)需求，提供針對(duì)性的(d e)過濾及純化(huà)綜合解決方案，提高(gāo)産品的(de)品質，滿足客戶的(de)需求。
